GaN/InGaN heterostructures grown by ammonia MBE with a wetting metal indium layer

A. N. Alekseev; A. É. Byrnaz; D. M. Krasovitskiĭ; M. V. Pavlenko; S. I. Petrov; Yu. V. Pogorel’skiĭ; I. A. Sokolov; M. A. Sokolov; M. V. Stepanov; V. P. Chalyĭ; A. P. Shkurko

作者A. N. Alekseev; A. É. Byrnaz; D. M. Krasovitskiĭ; M. V. Pavlenko; S. I. Petrov; Yu. V. Pogorel’skiĭ; I. A. Sokolov; M. A. Sokolov; M. V. Stepanov; V. P. Chalyĭ; A. P. Shkurko
卷第34卷
期第9期
印刷ISSN1063-7850
电子ISSN1090-6533
文件大小193.64KB
发表时间2008-09
DOI10.1134/s1063785008090216
页码785-788

发现好书期刊，享受阅读乐趣

GaN/InGaN heterostructures grown by ammonia MBE with a wetting metal indium layer