Characteristics of Al / p-AgGaTe2 polycrystalline thin film Schottky barrier diode
S. S. Patel; B. H. Patel; T. S. Patel
- 作者S. S. Patel; B. H. Patel; T. S. Patel
- 卷第43卷
- 期第5期
- 印刷ISSN0232-1300
- 电子ISSN1521-4079
- 文件大小121.20KB
- 发表时间2008
- DOI10.1002/crat.200711041
- 页码542-546