Reproducible resistance switching characteristics of hafnium oxide-based nonvolatile memory devices
Kim, Yong-Mu; Lee, Jang-Sik
- 期刊名称Journal of Applied Physics
- 作者Kim, Yong-Mu; Lee, Jang-Sik
- 卷第104卷
- 期第11期
- 印刷ISSN0021-8979
- 文件大小773.54KB
- 发表时间2008
- DOI10.1063/1.3041475