Structural and electrical characterization of the nickel silicide films formed at 850 °C by rapid thermal annealing of the Ni/Si(1 0 0) films

• 作者G. Utlu; N. Artunç; S. Budak; S. Tari
• 卷第256卷
• 期第16期
• 印刷ISSN0169-4332
• 文件大小1180.51KB
• 发表时间2010
• DOI10.1016/j.apsusc.2010.03.062
• 页码5069-5075