Recovering doping profiles in semiconductor devices with the Boltzmann–Poisson model

• 作者Yingda Cheng; Irene M. Gamba; Kui Ren
• 卷第230卷
• 期第9期
• 印刷ISSN0021-9991
• 电子ISSN1090-2716
• 文件大小2385.29KB
• 发表时间2011
• DOI10.1016/j.jcp.2011.01.034
• 页码3391-3412