Dopant profiles in silicon created by MeV hydrogen implantation: Influence of annealing parameters

• 作者J.G. Laven; H.-J. Schulze; V. Häublein; F.-J. Niedernostheide; H. Schulze; H. Ryssel; L. Frey
• 卷第8卷
• 期第3期
• 印刷ISSN1610-1634
• 电子ISSN1610-1642
• 文件大小164.87KB
• 发表时间2011
• DOI10.1002/pssc.201000161
• 页码697-700