Improvement of RF and Noise Characteristics Using a Cavity Structure in InAlAs/InGaAs HEMTs
- 作者Takahashi, T.; Sato, M.; Nakasha, Y.; Hirose, T.; Hara, N.
- 卷第59卷
- 期第8期
- 印刷ISSN0018-9383
- 电子ISSN1557-9646
- 文件大小647.42KB
- 发表时间2012
- DOI10.1109/ted.2012.2200254
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