Characterization of 4H-SiC Epitaxial Layers and High-Resistivity Bulk Crystals for Radiation Detectors

• 期刊名称IEEE Transactions on Nuclear Science
• 作者Mandal, Krishna C.; Muzykov, Peter G.; Krishna, Ramesh M.; Terry, J. Russell
• 卷第59卷
• 期第4期
• 印刷ISSN0018-9499
• 电子ISSN1558-1578
• 文件大小917.54KB
• 发表时间2012-08
• DOI10.1109/tns.2012.2202916
• 页码1591-1596