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[IEEE 2012 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - San Francisco, CA, USA (2012.12.10-2012.12.13)] 2012 International Electron Devices Meeting - InAs-Si heterojunction nanowire tunnel diodes and tunnel FETs

Riel, H.; Moselund, K. E.; Bessire, C.; Bjork, M. T.; Schenk, A.; Ghoneim, H.; Schmid, H.

作者Riel, H.; Moselund, K. E.; Bessire, C.; Bjork, M. T.; Schenk, A.; Ghoneim, H.; Schmid, H.
文件大小855.23KB
发表时间2012
DOI10.1109/iedm.2012.6479056