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High Quality 3C-SiC Substrate for MOSFET Fabrication

High Quality 3C-SiC Substrate for MOSFET Fabrication

Nagasawa, Hiroyuki; Kawahara, Takamitsu; Yagi, Kuniaki; Hatta, Naoki; Uchida, Hidetsugu; Kobayashi, Motoki; Reshanov, Sergey A.; Esteve, Romain; Schöner, Adolf
  • 期刊名称Materials Science Forum
  • 作者Nagasawa, Hiroyuki; Kawahara, Takamitsu; Yagi, Kuniaki; Hatta, Naoki; Uchida, Hidetsugu; Kobayashi, Motoki; Reshanov, Sergey A.; Esteve, Romain; Schöner, Adolf
  • 卷第711卷
  • 电子ISSN1662-9752
  • 文件大小977.38KB
  • 发表时间2012-1
  • DOI10.4028/www.scientific.net/MSF.711.91
  • 页码91-98
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