Annular Fast Electron Transport in Silicon Arising from Low-Temperature Resistivity

MacLellan, D. A.; Carroll, D. C.; Gray, R. J.; Booth, N.; Burza, M.; Desjarlais, M. P.; Du, F.; Gonzalez-Izquierdo, B.; Neely, D.; Powell, H. W.; Robinson, A. P. L.; Rusby, D. R.; Scott, G. G.; Yuan, X. H.; Wahlström, C.-G.; McKenna, P.

期刊名称Physical Review Letters
作者MacLellan, D. A.; Carroll, D. C.; Gray, R. J.; Booth, N.; Burza, M.; Desjarlais, M. P.; Du, F.; Gonzalez-Izquierdo, B.; Neely, D.; Powell, H. W.; Robinson, A. P. L.; Rusby, D. R.; Scott, G. G.; Yuan, X. H.; Wahlström, C.-G.; McKenna, P.
卷第111卷
期第9期
印刷ISSN0031-9007
电子ISSN1079-7114
文件大小2424.40KB
发表时间2013-8-28
DOI10.1103/PhysRevLett.111.095001

发现好书期刊，享受阅读乐趣

Annular Fast Electron Transport in Silicon Arising from Low-Temperature Resistivity