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An Analytical Hole Mobility Model for Biaxial Strained-Si-p-MOSFET

An Analytical Hole Mobility Model for Biaxial Strained-Si-p-MOSFET

Chaudhry, Amit; Sangwan, Sonu
  • 期刊名称Journal of Computational and Theoretical Nanoscience
  • 作者Chaudhry, Amit; Sangwan, Sonu
  • 卷第10卷
  • 期第5期
  • 印刷ISSN1546-1955
  • 电子ISSN1546-1963
  • 文件大小1875.26KB
  • 发表时间2013-05-01
  • DOI10.1166/jctn.2013.2810
  • 页码1085-1090
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