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Formation of built-in potential in Si (100) crystals under microwave plasma treatment

Formation of built-in potential in Si (100) crystals under microwave plasma treatment

Yafarov, R. K.
  • 期刊名称Semiconductors
  • 作者Yafarov, R. K.
  • 卷第48卷
  • 期第4期
  • 印刷ISSN1063-7826
  • 电子ISSN1090-6479
  • 文件大小272.06KB
  • 发表时间2014-04
  • DOI10.1134/S1063782614040277
  • 页码511-516
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