[IEEE 2014 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - San Francisco, CA, USA (2014.12.15-2014.12.17)] 2014 IEEE International Electron Devices Meeting - A 14nm logic technology featuring 2nd-generation FinFET, air-gapped interconnects, self-aligned double patterning and a 0.0588 µm2 SRAM cell size
Natarajan, S.; Agostinelli, M.; Akbar, S.; Bost, M.; Bowonder, A.; Chikarmane, V.; Chouksey, S.; Dasgupta, A.; Fischer, K.; Fu, Q.; Ghani, T.; Giles, M.; Govindaraju, S.; Grover, R.; Han, W.; Hanken, D.; Haralson, E.; Haran, M.; Heckscher, M.; Heussner, R.; Jain, P.; James, R.; Jhaveri, R.; Jin, I.; Kam, H.; Karl, E.; Kenyon, C.; Liu, M.; Luo, Y.; Mehandru, R.; Morarka, S.; Neiberg, L.; Packan, P.; Paliwal, A.; Parker, C.; Patel, P.; Patel, R.; Pelto, C.; Pipes, L.; Plekhanov, P.; Prince, M.; Rajamani, S.; Sandford, J.; Sell, B.; Sivakumar, S.; Smith, P.; Song, B.; Tone, K.; Troeger, T.; Wiedemer, J.; Yang, M.; Zhang, K.
- 作者Natarajan, S.; Agostinelli, M.; Akbar, S.; Bost, M.; Bowonder, A.; Chikarmane, V.; Chouksey, S.; Dasgupta, A.; Fischer, K.; Fu, Q.; Ghani, T.; Giles, M.; Govindaraju, S.; Grover, R.; Han, W.; Hanken, D.; Haralson, E.; Haran, M.; Heckscher, M.; Heussner, R.; Jain, P.; James, R.; Jhaveri, R.; Jin, I.; Kam, H.; Karl, E.; Kenyon, C.; Liu, M.; Luo, Y.; Mehandru, R.; Morarka, S.; Neiberg, L.; Packan, P.; Paliwal, A.; Parker, C.; Patel, P.; Patel, R.; Pelto, C.; Pipes, L.; Plekhanov, P.; Prince, M.; Rajamani, S.; Sandford, J.; Sell, B.; Sivakumar, S.; Smith, P.; Song, B.; Tone, K.; Troeger, T.; Wiedemer, J.; Yang, M.; Zhang, K.
- 文件大小844.65KB
- 发表时间2014
- DOI10.1109/iedm.2014.7046976