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Ab initio calculation of the thermal conductivity of indium antimonide

Miranda, Alonso L; Xu, Bin; Hellman, Olle; Romero, Aldo H; Verstraete, Matthieu J

期刊名称Semiconductor Science and Technology
作者Miranda, Alonso L; Xu, Bin; Hellman, Olle; Romero, Aldo H; Verstraete, Matthieu J
卷第29卷
期第12期
印刷ISSN0268-1242
电子ISSN1361-6641
文件大小64.91KB
发表时间2014-12-01
DOI10.1088/0268-1242/29/12/124002