[IEEE 2016 IEEE Symposium on VLSI Technology - Honolulu, HI, USA (2016.6.14-2016.6.16)] 2016 IEEE Symposium on VLSI Technology - High performance In0.53Ga0.47As FinFETs fabricated on 300 mm Si substrate
Huang, M. L.; Chang, S. W.; Chen, M. K.; Oniki, Y.; Chen, H. C.; Lin, C. H.; Lee, W. C.; Lin, C. H.; Khaderbad, M. A.; Lee, K. Y.; Chen, Z. C.; Tsai, P. Y.; Lin, L. T.; Tsai, M. H.; Hung, C. L.; Huang, T. C.; Lin, Y. C.; Yeo, Y.-C.; Jang, S. M.; Hwang, H. Y.; Wang, Howard C.-H.; Diaz, Carlos H.
- 作者Huang, M. L.; Chang, S. W.; Chen, M. K.; Oniki, Y.; Chen, H. C.; Lin, C. H.; Lee, W. C.; Lin, C. H.; Khaderbad, M. A.; Lee, K. Y.; Chen, Z. C.; Tsai, P. Y.; Lin, L. T.; Tsai, M. H.; Hung, C. L.; Huang, T. C.; Lin, Y. C.; Yeo, Y.-C.; Jang, S. M.; Hwang, H. Y.; Wang, Howard C.-H.; Diaz, Carlos H.
- 文件大小6654.28KB
- 发表时间2016
- DOI10.1109/vlsit.2016.7573361
- 页码1-2