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Highly conductive Ge-doped GaN epitaxial layers prepared by pulsed sputtering

Highly conductive Ge-doped GaN epitaxial layers prepared by pulsed sputtering

Ueno, Kohei; Arakawa, Yasuaki; Kobayashi, Atsushi; Ohta, Jitsuo; Fujioka, Hiroshi
  • 期刊名称Applied Physics Express
  • 作者Ueno, Kohei; Arakawa, Yasuaki; Kobayashi, Atsushi; Ohta, Jitsuo; Fujioka, Hiroshi
  • 卷第10卷
  • 期第10期
  • 印刷ISSN1882-0778
  • 电子ISSN1882-0786
  • 文件大小856.16KB
  • 发表时间2017-10-01
  • DOI10.7567/APEX.10.101002
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