InAs/InGaAsSb/GaSb Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors

• 期刊名称IEEE Transactions on Electron Devices
• 作者Memisevic, Elvedin; Svensson, Johannes; Lind, Erik; Wernersson, Lars-Erik
• 卷第64卷
• 期第11期
• 印刷ISSN0018-9383
• 电子ISSN1557-9646
• 文件大小1976.82KB
• 发表时间2017-11
• DOI10.1109/ted.2017.2750763
• 页码4746-4751