Interfacial and electrical properties of Al2O3/GaN metal–oxide–semiconductor junctions with ultrathin AlN layer
Kim, Hogyoung; Kim, Dong Ha; Choi, Byung Joon
- 期刊名称Applied Physics A
- 作者Kim, Hogyoung; Kim, Dong Ha; Choi, Byung Joon
- 卷第123卷
- 期第12期
- 印刷ISSN0947-8396
- 电子ISSN1432-0630
- 文件大小2396.38KB
- 发表时间2017-12
- DOI10.1007/s00339-017-1430-3