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Interfacial and electrical properties of Al2O3/GaN metal–oxide–semiconductor junctions with ultrathin AlN layer

Interfacial and electrical properties of Al2O3/GaN metal–oxide–semiconductor junctions with ultrathin AlN layer

Kim, Hogyoung; Kim, Dong Ha; Choi, Byung Joon
  • 期刊名称Applied Physics A
  • 作者Kim, Hogyoung; Kim, Dong Ha; Choi, Byung Joon
  • 卷第123卷
  • 期第12期
  • 印刷ISSN0947-8396
  • 电子ISSN1432-0630
  • 文件大小2396.38KB
  • 发表时间2017-12
  • DOI10.1007/s00339-017-1430-3
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