Lateral growth of NiSi at the θ-Ni 2 Si/Si(100) interface: Experiments and modelling

• 期刊名称Microelectronic Engineering
• 作者Mangelinck, D.; El Kousseifi, M.; Hoummada, K.; Panciera, F.; Epicier, T.
• 卷第199卷
• 印刷ISSN0167-9317
• 文件大小1556.21KB
• 发表时间2018-11
• DOI10.1016/j.mee.2018.07.014
• 页码45-51