Emission Properties of Heavily Doped Epitaxial Indium-Nitride Layers
Andreev, B. A.; Lobanov, D. N.; Krasil’nikova, L. V.; Bushuykin, P. A.; Yablonskiy, A. N.; Novikov, A. V.; Davydov, V. Yu.; Yunin, P. A.; Kalinnikov, M. I.; Skorohodov, E. V.; Krasil’nik, Z. F.
- 期刊名称Semiconductors
- 作者Andreev, B. A.; Lobanov, D. N.; Krasil’nikova, L. V.; Bushuykin, P. A.; Yablonskiy, A. N.; Novikov, A. V.; Davydov, V. Yu.; Yunin, P. A.; Kalinnikov, M. I.; Skorohodov, E. V.; Krasil’nik, Z. F.
- 卷第53卷
- 期第10期
- 印刷ISSN1063-7826
- 电子ISSN1090-6479
- 文件大小1047.03KB
- 发表时间2019-10
- DOI10.1134/S1063782619100038
- 页码1357-1362