Vertical Sandwich Gate-All-Around Field-Effect Transistors with Self-Aligned High-k Metal Gates and Small Effective-Gate-Length Variation

Yin, Xiaogen; Xie, L.; Ai, X.Z.; Zhang, Y.B.; Jia, K.P.; Wu, Z.H.; Ma, X.L.; Zhang, Q.Z.; Mao, S.J.; Xiang, J.J.; Gao, J.F.; Zhu, Huilong; He, X.B.; Bai, G.B.; Lu, Y.H.; Zhou, N.; Kong, Z.Z.; Zhang, Y.; Zhao, J.; Ma, S.S.; Xuan, Z.H.; Li, Y.Y.; Wang, G.L.; Li, L.; Zhang, Q.H.; Han, J.H.; Chen, R.L.; Qu, Y.; Yang, T.; Luo, J.; Li, J.F.; Yin, H.X.; Radamson, H.; Li, J.J.; Zhao, C.; Wang, W.W.; Ye, T.C.; Du, A.Y.; Li, C.; Zhao, L.H.; Huang, W.X.; Yang, H.

期刊名称IEEE Electron Device Letters
作者Yin, Xiaogen; Xie, L.; Ai, X.Z.; Zhang, Y.B.; Jia, K.P.; Wu, Z.H.; Ma, X.L.; Zhang, Q.Z.; Mao, S.J.; Xiang, J.J.; Gao, J.F.; Zhu, Huilong; He, X.B.; Bai, G.B.; Lu, Y.H.; Zhou, N.; Kong, Z.Z.; Zhang, Y.; Zhao, J.; Ma, S.S.; Xuan, Z.H.; Li, Y.Y.; Wang, G.L.; Li, L.; Zhang, Q.H.; Han, J.H.; Chen, R.L.; Qu, Y.; Yang, T.; Luo, J.; Li, J.F.; Yin, H.X.; Radamson, H.; Li, J.J.; Zhao, C.; Wang, W.W.; Ye, T.C.; Du, A.Y.; Li, C.; Zhao, L.H.; Huang, W.X.; Yang, H.
印刷ISSN0741-3106
电子ISSN1558-0563
文件大小1220.52KB
发表时间2019
DOI10.1109/LED.2019.2954537
页码1-1

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Vertical Sandwich Gate-All-Around Field-Effect Transistors with Self-Aligned High-k Metal Gates and Small Effective-Gate-Length Variation