[IEEE 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - San Francisco, CA, USA (2019.12.7-2019.12.11)] 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - A novel integration of STT-MRAM for on-chip hybrid memory by utilizing non-volatility modulation
Park, J.-H.; Kwon, S.; Bae, B.-J.; Kim, I.; Ji, N.; Lee, K.; Shin, H.; Han, S. H.; Hwang, S.; Jeong, D.; Lee, J.; Lee, J.; Oh, S. C.; Park, S. O.; Song, Y. J.; Jeong, G. T.; Koh, G. H.; Hyun, S.; Hwang, K.; Nam, S. W.; Kang, H. K.; Jung, E. S.; Jeong, J.; Pi, U.; Kim, W.K.; Lee, S.; Noh, E.; Kim, K.; Lim, W. C.
- 作者Park, J.-H.; Kwon, S.; Bae, B.-J.; Kim, I.; Ji, N.; Lee, K.; Shin, H.; Han, S. H.; Hwang, S.; Jeong, D.; Lee, J.; Lee, J.; Oh, S. C.; Park, S. O.; Song, Y. J.; Jeong, G. T.; Koh, G. H.; Hyun, S.; Hwang, K.; Nam, S. W.; Kang, H. K.; Jung, E. S.; Jeong, J.; Pi, U.; Kim, W.K.; Lee, S.; Noh, E.; Kim, K.; Lim, W. C.
- 文件大小532.30KB
- 发表时间2019
- DOI10.1109/IEDM19573.2019.8993614