[IEEE 2019 Device Research Conference (DRC) - Ann Arbor, MI, USA (2019.6.23-2019.6.26)] 2019 Device Research Conference (DRC) - Top-gated atomic precision phosphorous doped silicon single electron transistor with low thermal budget gate dielectric
Anderson, E. M.; Maurer, L.; Tracy, L.; Smith, S. W.; Lu, P.; Katzenmeyer, A. M.; Baczewski, A.D.; Campbell, D. M.; Marshall, M. T.; Ward, D. R.; Lu, T.-M.; Misra, S.
- 作者Anderson, E. M.; Maurer, L.; Tracy, L.; Smith, S. W.; Lu, P.; Katzenmeyer, A. M.; Baczewski, A.D.; Campbell, D. M.; Marshall, M. T.; Ward, D. R.; Lu, T.-M.; Misra, S.
- 文件大小339.98KB
- 发表时间2019
- DOI10.1109/drc46940.2019.9046464
- 页码205-206