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Simulation study for the CDM ESD behaviour of the grounded-gate nmos

Simulation study for the CDM ESD behaviour of the grounded-gate nmos

C. Russ; K. Verhaege; K. Bock; G. Groeseneken; H.E. Maes

作者C. Russ; K. Verhaege; K. Bock; G. Groeseneken; H.E. Maes
卷第36卷
印刷ISSN0026-2714
文件大小319.81KB
发表时间1996
DOI10.1016/0026-2714(96)00187-4
页码1739-1742

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