A Degenerately Doped $hbox{In}_{0.53}hbox{Ga}_{0.47} hbox{As}$ Bipolar Junction Transistor
Yalon, E.; Elias, D. Cohen; Gavrilov, A.; Cohen, S.; Halevy, R.; Ritter, D.
- 期刊名称IEEE Electron Device Letters
- 作者Yalon, E.; Elias, D. Cohen; Gavrilov, A.; Cohen, S.; Halevy, R.; Ritter, D.
- 卷第32卷
- 期第1期
- 印刷ISSN0741-3106
- 电子ISSN1558-0563
- 文件大小400.24KB
- 发表时间2011-01
- DOI10.1109/led.2010.2084557
- 页码21-23